CMOS to jest nazwa jednej z technologii półprzewodnikowych, w których kolejne procesy umożliwiają wytworzenie tranzystorów MOS z kanałem p oraz n. Powiedzenie "matryca CMOS" jest skrótem myślowym - jest to matryca wykonana w typowym procesie CMOS. Dodam, że pompa ładunkowa stosowana w czujnikach CCD nie jest możliwa do wykonania w standardowym procesie CMOS, konieczne jest uzycie innej (zmodyfikowanej) linii technologicznej.

Trochę linków jest tu:
http://electronics.howstuffworks.com/question362.htm

Coś tylko obrazków przy tych patentach nie widzę. W każdym razie na 99% wiem, że w jednym i w drugim typie czujników sam detektor jest bardzo podobny - fotodioda odpowiednio spolaryzowana.

W CCD ładunek zgromadzony w diodzie jest przenoszony wzdłuż struktury pompą ładunkową w poprzek struktury do linijki wzmacniaczy wyjściowych, natomiast matryce CMOS bardziej przypominają pamięci półprzewonikowe, w których poszczególne piksele adresowane są niezależnie, matrycowo, z których każdy posiada swój własny wzmacniacz wyjściowy i klucze dołączające na żądanie tę a nie inną komórkę do linii wyjściowych.

Ponieważ w trakcie przemieszczania ładunku w pompie ładunkowej cały czas do sygnału uzytecznego dodawane są szumy, następuje rozmycie itp itd, matryce te mają potencjalnie większe szumy. Do pixeli w CMOS można dostać się znacznie szybciej, brak jest strat związanych z niedoskonałością działania pompy ładunkowej.

Potencjalne możliwości CMOS ma moim zdaniem dużo większe. A to, że stosunkowo niedawno pojawiły się CMOSy o jakości wystarczajacej do zastsowania w fotografii, świadczy zapewne o istnieniu innych problemów z matrycami CMOS, o których producenci milczą. Przez dlugi czas nadawały się one tylko do "zabawek". A że nie trzeba było osobnej linii technologicznej do ich produkcji, to były tanie.