Koniec matryc CCD i CMOS

[jatzzek]

Żeby nie było Ga-As jest dużo lepszy od krzemu, czemu go jeszcze nie ma?, proste, koszty wynalezienia krzemu jeszcze się nie zwróciły...

A co ty sie zajmujesz technologia wytwarzania GaAs albo Si? Bo wypowiadzasz sie tak, jakbys na tym zeby zjadl. GaAs ma swoje zalety (duza ruchliwosc nosnikow, prosta przerwa energetyczna - co od razu predystynuje ten zwiazek do zastosowan optoelektronicznych etc) ale ma tez sporo wad. Przede wszystkim technologia wytwarzania struktur opartych na GaAs jest znacznie drozsza i mniej efektywna niz wykonanie tych samych struktur opartych na Si. Wynika to z wielu powodow. Podam ci 2 najwazniejsze:

1. Nanostruktury oparte na GaAs najczesciej wytwarza sie przy pomocy metod MBE albo MOCVD. Pierwsza z nich jest bardzo powolna (malo wydajna) i wymaga duzych nakladow srodkow - generalnie nie nadaje sie do masowej produkcji, ale ze wzgledu na niezwykla precyzje jest wykorzystywana akademicko i w research labach. Druga technologia jest szybsza i tylko ona daje mozliwosci produkcji masowej, ale niestety wciaz jest bardzo droga.

2. Si utlenione (SiO2) jest jednym z najlepszych izolatorow. SiO2 jest bardzo latwo zintegrowac z ukladami opartymi na Si. To powoduje, ze "same sie robia" wszelkiego rodzaju struktury typu MOS, MOSFET, CMOS itd... GaAs nie wytwarza stabilnej formy izolujacej.

Jest jeszcze kilka innych powodow, ktore w gruncie rzeczy sprowadzaja sie do tego, ze technologia wytwarzania ukladow scalonych opartych na GaAs jest o wiele drozsza od konkurencyjnej i sprawdzonej technologii opartej na Si. Z tego powodu technologie GaAs stosuje sie tylko tam, gdzie koszty nie graja decydujacej roli, np. w armii, w badaniach kosmosu etc... Do masowej produkcji potrzebna jest TANIA technologia i na tym glownie polega wyscig technologiczny wielkich korporacji.